DDR4

ESPECIFICACIONES

Descripción	DDR3	DDR4	Ventaja
Densidades de chip	De 512Mb a 8b	De 4Gb a 16Gb	Capacidades DIMM mayores
Velocidades de transferencia de datos	800Mb/s – 2133Mb/s	1600Mb/s – 3200Mb/s	Migración a E/S de más alta velocidad
Voltaje	1,5V	1,2V	Demanda reducida de energía de la memoria
Bajo voltaje estándar	Sí (DDR3L a 1,35V)	Se prevé una reducción hasta 1,1V	Reducciones de energía de la memoria
Bancos internos	8	16	Más bancos
Grupos de bancos (GB)	0	4	Accesos más rápidos en modo de ráfagas
Entradas VREF	2 – DQ y CMD/ADDR	1 – CMD/ADDR	El VREFDQ ahora es interno
tCK – DLL habilitado	300MHz – 800MHz	667MHz – 1,6GHz	Mayores velocidades de transferencia de datos
tCK – DLL deshabilitado	10MHz – 125MHz (opcional)	Indeterminado hasta 125MHz	Totalmente compatible con DLL-off
Latencia de lectura	AL + CL	AL + CL	Valores ampliados
Latencia de escritura	AL + CWL	AL + CWL	Valores ampliados
Controlador DQ (ALT)	40 Ω	48 Ω	Óptimo para las aplicaciones PtP
Bus DQ	SSTL15	POD12	Menos ruido y consumo de energía de E/S
Valores RTT (expresados en Ω)	120, 60, 40, 30, 20	240, 120, 80, 60, 48, 40, 34	Admite velocidades de transferencia de datos más altas
No se admite RTT	LECTURA en modo de ráfagas	Se inhabilita durante las lecturas en modo de ráfagas	Facilidad de uso
Modos ODT	Nominal, Dinámico	Nominal, Dinámico, Park	Modo de control adicional; cambio de valor OTF
Control ODT	Se requiere señalización ODT	No se requiere señalización ODT	Facilidad de control ODT; permite enrutamiento sin ODT, aplicaciones PtP
Registro para múltiples propósitos	Cuatro registros – 1 definido, 3 RFU	Cuatro registros – 3 definidos, 1 RFU	Proporciona una lectura especializada adicional
Tipos de DIMM	RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM	RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Clavijas del DIMM	240 (R, LR, U); 204 (SODIMM)	288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS	ECC	CRC, Paridad, Direccionabilidad, GDM	Más funciones RAS; integridad de datos mejorada